射频高Q多层片式电容器

射频高Q多层片式电容器

射频高Q多层片式电容|高Q电容|ATC电容

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CCT射频高Q多层片式电容|高Q电容|ATC电容

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适用于微波相控阵雷达T/R组件、射频功率放大器、滤波器、振荡器、计时电路、天线调谐、磁共振成像系统等设备中起耦合、调谐、旁路、隔直作用;


 1.特点

  • 尺寸规格系列化,适用于混合集成电路或印刷电路的表面贴装元件;

  • 具有高Q值、低ESR、可靠性高的特点;

  • 损耗低、电容量稳定性高、工作频率最高可达3GHz;

  • 国军标生产线生产;

  • 通讯、雷达、弹引信、舰船及航空、航天系统的地面电子设备及民用高端设备;

  • 使用于各类设备中的高频电路、VHF-微波段、射频及放大电路中。



 2.主要性能指标

  • 温度系数:C0G:0±30ppm/℃;

  • 电容量漂移:不超过±0.2%或±0.05pF,取较大者;

  • 品质因数(Q值):频率为1MHz/1KHz时大于2000

  • 老化特性:无;

  • 绝缘电阻;在20℃下:≥100000MΩ

  • 工作温度:-55~125℃

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