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XBSC0402AR050GA01|村田 Murata 硅电容(Silicon Capacitor)

发布时间:2026-09-23

 XBSC0402AR050GA01|村田 Murata 硅电容(Silicon Capacitor)
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XBSC 系列,0402 贴片硅电容,最高工作频率 100GHz

核心参数

- 料号:XBSC0402AR050GA01

- 封装:0402(英制)贴片 SMD

- 容值:0.5pF(R050 代表 0.5pF)

- 容差:±0.25pF(G 档)

- 额定电压:50V DC

- 最高工作频率:100GHz

- 工作温度:-55℃ ~ +150℃

- 温度系数:+70 ppm/K

- 寄生参数:**极低 ESL、极低 ESR**(硅电容核心优势,远优于普通 MLCC)

- 电极:NiAu 镀金电极,适合回流焊 SMT

- 合规:RoHS

- 包装:卷带 Tape & Reel


> 料号拆解:

> XBSC = 系列;0402 = 封装;A = 电极;R050=0.5pF;G = 容差 ±0.25pF;A01 = 版本


功能

1. RF 隔直 DC Block:射频链路最常用,隔离直流电压,同时让高频射频 / 毫米波交流信号顺利通过。

2. 高频信号耦合**:高速差分、微波、毫米波信号耦合传输。

3. 射频匹配:毫米波、微波电路阻抗匹配。

4. 旁路 / 去耦:高频芯片旁做高频去耦。

> 核心优势:容量随电压、温度变化极小,老化漂移低;高频下寄生电感 ESL 极低,在几十 GHz 频段损耗远好于 NP0/COG MLCCMurata Man...


适用范围

- 光通信:TOSA/ROSA 光组件、TIA 跨阻放大器、硅光模块 CPO/NPO

- 微波 / 毫米波射频:Sub-6G、77G 车载雷达、宽带射频测试仪器

- 高速 SerDes、高速数据接口

- 宽带射频前端,100GHz 以内高频电路

> 适合需要稳定小容值、极低寄生参数的高频设计;不适合低频大容量电源储能


XBSC0402AR050GA01 是村田 XBSC 系列硅电容,0402 封装,0.5pF/50V,最高支持 100GHz。具备极低 ESL,容量温漂 / 压漂很小,多用于毫米波、光模块 TOSA/ROSA 的射频隔直、高频信号耦合,高频性能远超普通 MLCC。
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